ME3587-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME3587-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6

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ME3587-G datasheet

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ME3587-G

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ME3587-G

ME3587/ME3587-G N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 45m @VGS=4.5V (N-Ch) The ME3587 is the N- and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 68m @VGS=2.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 120m @VGS=1.8V (N-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especia

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