ME3587-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME3587-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-6
Аналог (замена) для ME3587-G
ME3587-G Datasheet (PDF)
ke3587-g me3587-g.pdf

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeMOSFETMOSFETProduct specification(ME3587-G)KE3587-G ( )SOT-23-6Unit: mm FeaturesN-channel:VDS=20V ID=4A RDS(ON)0.045 @VGS=4.5V S1 D2 D1 RDS(ON)0.068 @VGS=2.5V RDS(ON)0.12 @VGS=1.8VP-channel:VDS=-20V ID=-2A0to0.1 RDS(ON)0.11 @VGS=-4.5V
me3587 me3587-g.pdf

ME3587/ME3587-G N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 45m@VGS=4.5V (N-Ch) The ME3587 is the N- and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 68m@VGS=2.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 120m@VGS=1.8V (N-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especia
Другие MOSFET... MCPF05N60B , MCPF08N60 , MCQ4822 , MCU01N80 , MCU02N80 , MCU04N60 , MCU04N65 , MCU05N60 , IRFP064N , MFE930 , MFE960 , MFE990 , MGSF1N02ELT1 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , SP8K80 .
History: KP739A | STL31N65M5 | IXKN40N60C | DMP2018LFK
History: KP739A | STL31N65M5 | IXKN40N60C | DMP2018LFK



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115