ME3587-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME3587-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6

Аналог (замена) для ME3587-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3587-G даташит

 ..1. Size:159K  tysemi
 ke3587-g me3587-g.pdf pdf_icon

ME3587-G

 ..2. Size:1233K  matsuki electric
 me3587 me3587-g.pdf pdf_icon

ME3587-G

ME3587/ME3587-G N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 45m @VGS=4.5V (N-Ch) The ME3587 is the N- and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 68m @VGS=2.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 120m @VGS=1.8V (N-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especia

Другие IGBT... MCPF05N60B, MCPF08N60, MCQ4822, MCU01N80, MCU02N80, MCU04N60, MCU04N65, MCU05N60, AO4468, MFE930, MFE960, MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80