SP8K80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SP8K80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SP8K80

SP8K80 Datasheet (PDF)

..1. Size:518K rohm
sp8k80.pdf

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET SP8K80 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features(1) Tr1 Source1) Built-in G-S protection diode.(2) Tr1 Gate(3) Tr2 Source2) Small surface mount package(SOP8).(4) Tr2 Gate(5) Tr2 Drain(1) (2) (3) (4)(6) Tr2 Drain(7) Tr1 Drain(8) Tr1 Drain ApplicationSwitching Packagi

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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