SP8K80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8K80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.7 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SP8K80 datasheet

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SP8K80

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET SP8K80 Structure Dimensions (Unit mm) SOP8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features (1) Tr1 Source 1) Built-in G-S protection diode. (2) Tr1 Gate (3) Tr2 Source 2) Small surface mount package(SOP8). (4) Tr2 Gate (5) Tr2 Drain (1) (2) (3) (4) (6) Tr2 Drain (7) Tr1 Drain (8) Tr1 Drain Application Switching Packagi

Otros transistores... ME3587-G, MFE930, MFE960, MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, IRF540, SP8M10FRA, SP8M21FRA, SP8M51, SP8M70, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2