SP8K80 Todos los transistores

 

SP8K80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP8K80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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SP8K80 Datasheet (PDF)

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SP8K80

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET SP8K80 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features(1) Tr1 Source1) Built-in G-S protection diode.(2) Tr1 Gate(3) Tr2 Source2) Small surface mount package(SOP8).(4) Tr2 Gate(5) Tr2 Drain(1) (2) (3) (4)(6) Tr2 Drain(7) Tr1 Drain(8) Tr1 Drain ApplicationSwitching Packagi

Otros transistores... ME3587-G , MFE930 , MFE960 , MFE990 , MGSF1N02ELT1 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , IRF540N , SP8M10FRA , SP8M21FRA , SP8M51 , SP8M70 , SP8M8FRA , SPB100N03S2 , SPB42N03S2L-13 , SPB80N03S2 .

History: IPB60R299CPA | BSZ035N03LS | DMG7410SFG | APT56F50L | AP9430AGYT-HF

 

 
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