SP8K80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP8K80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.7 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для SP8K80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8K80 даташит

 ..1. Size:518K  rohm
 sp8k80.pdf pdf_icon

SP8K80

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET SP8K80 Structure Dimensions (Unit mm) SOP8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features (1) Tr1 Source 1) Built-in G-S protection diode. (2) Tr1 Gate (3) Tr2 Source 2) Small surface mount package(SOP8). (4) Tr2 Gate (5) Tr2 Drain (1) (2) (3) (4) (6) Tr2 Drain (7) Tr1 Drain (8) Tr1 Drain Application Switching Packagi

Другие IGBT... ME3587-G, MFE930, MFE960, MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, IRF540, SP8M10FRA, SP8M21FRA, SP8M51, SP8M70, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2