SP8K80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SP8K80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.7 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам