Справочник MOSFET. SP8K80

 

SP8K80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8K80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.7 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для SP8K80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8K80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  rohm
 sp8k80.pdf pdf_icon

SP8K80

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET SP8K80 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features(1) Tr1 Source1) Built-in G-S protection diode.(2) Tr1 Gate(3) Tr2 Source2) Small surface mount package(SOP8).(4) Tr2 Gate(5) Tr2 Drain(1) (2) (3) (4)(6) Tr2 Drain(7) Tr1 Drain(8) Tr1 Drain ApplicationSwitching Packagi

Другие MOSFET... ME3587-G , MFE930 , MFE960 , MFE990 , MGSF1N02ELT1 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , IRF540N , SP8M10FRA , SP8M21FRA , SP8M51 , SP8M70 , SP8M8FRA , SPB100N03S2 , SPB42N03S2L-13 , SPB80N03S2 .

History: IRFY110 | FTA02N65 | HGK012NE6A | IPAN80R360P7 | 2SK2666 | BLP02N06-T | DH8004B

 

 
Back to Top

 


 
.