SP8K80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SP8K80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 36.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.7 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для SP8K80
SP8K80 Datasheet (PDF)
sp8k80.pdf

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET SP8K80 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features(1) Tr1 Source1) Built-in G-S protection diode.(2) Tr1 Gate(3) Tr2 Source2) Small surface mount package(SOP8).(4) Tr2 Gate(5) Tr2 Drain(1) (2) (3) (4)(6) Tr2 Drain(7) Tr1 Drain(8) Tr1 Drain ApplicationSwitching Packagi
Другие MOSFET... ME3587-G , MFE930 , MFE960 , MFE990 , MGSF1N02ELT1 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , IRF540 , SP8M10FRA , SP8M21FRA , SP8M51 , SP8M70 , SP8M8FRA , SPB100N03S2 , SPB42N03S2L-13 , SPB80N03S2 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625