SP8M10FRA Todos los transistores

 

SP8M10FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP8M10FRA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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SP8M10FRA Datasheet (PDF)

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SP8M10FRA

SP8M10FRASP8M10Transistors AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Pch MOSFETSP8M10FRASP8M10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP85.01.750.4(8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). (1) (4)0.21.271pin mark Application Power switching, DC / DC converter.

Otros transistores... MFE930 , MFE960 , MFE990 , MGSF1N02ELT1 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , SP8K80 , 50N06 , SP8M21FRA , SP8M51 , SP8M70 , SP8M8FRA , SPB100N03S2 , SPB42N03S2L-13 , SPB80N03S2 , SPC1016 .

History: AUIRF7736M2TR1 | NTD4804NA-1G | BF1202WR

 

 
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