SP8M10FRA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8M10FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SP8M10FRA datasheet

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SP8M10FRA

SP8M10FRA SP8M10 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch+Pch MOSFET SP8M10FRA SP8M10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP8 5.0 1.75 0.4 (8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). (1) (4) 0.2 1.27 1pin mark Application Power switching, DC / DC converter.

Otros transistores... MFE930, MFE960, MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80, 50N06, SP8M21FRA, SP8M51, SP8M70, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2, SPC1016