Справочник MOSFET. SP8M10FRA

 

SP8M10FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8M10FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для SP8M10FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M10FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  rohm
 sp8m10fra.pdf pdf_icon

SP8M10FRA

SP8M10FRASP8M10Transistors AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Pch MOSFETSP8M10FRASP8M10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP85.01.750.4(8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). (1) (4)0.21.271pin mark Application Power switching, DC / DC converter.

Другие MOSFET... MFE930 , MFE960 , MFE990 , MGSF1N02ELT1 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , SP8K80 , 50N06 , SP8M21FRA , SP8M51 , SP8M70 , SP8M8FRA , SPB100N03S2 , SPB42N03S2L-13 , SPB80N03S2 , SPC1016 .

History: APT6045BN | PTP02N04N | RTR025N03 | AON6522 | NX7002AKA | HTS200P03 | AF4N65S

 

 
Back to Top

 


 
.