SP8M10FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP8M10FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для SP8M10FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M10FRA даташит

 ..1. Size:952K  rohm
 sp8m10fra.pdf pdf_icon

SP8M10FRA

SP8M10FRA SP8M10 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch+Pch MOSFET SP8M10FRA SP8M10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP8 5.0 1.75 0.4 (8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). (1) (4) 0.2 1.27 1pin mark Application Power switching, DC / DC converter.

Другие IGBT... MFE930, MFE960, MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80, 50N06, SP8M21FRA, SP8M51, SP8M70, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2, SPC1016