SP8M21FRA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8M21FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SP8M21FRA datasheet

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SP8M21FRA

SP8M21 SP8M21FRA Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch+Pch MOSFET SP8M21 SP8M21FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / SOP8 Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small and surface mount package (SOP8). Each lead has same dimensions Applications Switching Package specifications Inn

 9.1. Size:2455K  rohm
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SP8M21FRA

SP8M24FRA Datasheet 45V Nch+Pch Power MOSFET lOutline l Tr1 Nch Tr2 Pch Symbol VDSS 45V -45V SOP8 RDS(on)(Max.) 46m 63m ID 4.5A 3.5A PD 2.0W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance 2) Small Surface Mount Package (SOP8) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free 5) AEC-Q101 Qualified lPa

Otros transistores... MFE960, MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80, SP8M10FRA, IRFP460, SP8M51, SP8M70, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2, SPC1016, SPC1018