SP8M21FRA Todos los transistores

 

SP8M21FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP8M21FRA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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SP8M21FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  rohm
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SP8M21SP8M21FRATransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Pch MOSFETSP8M21SP8M21FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET / SOP8Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small and surface mount package (SOP8). Each lead has same dimensions ApplicationsSwitching Package specifications Inn

 9.1. Size:2455K  rohm
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SP8M24FRADatasheet45V Nch+Pch Power MOSFETlOutlinelTr1:Nch Tr2:PchSymbolVDSS 45V -45V SOP8RDS(on)(Max.) 46m 63mID 4.5A 3.5APD 2.0W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) Small Surface Mount Package (SOP8)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen Free5) AEC-Q101 QualifiedlPa

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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