SP8M21FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP8M21FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для SP8M21FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M21FRA даташит

 ..1. Size:970K  rohm
sp8m21fra.pdfpdf_icon

SP8M21FRA

SP8M21 SP8M21FRA Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch+Pch MOSFET SP8M21 SP8M21FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / SOP8 Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small and surface mount package (SOP8). Each lead has same dimensions Applications Switching Package specifications Inn

 9.1. Size:2455K  rohm
sp8m24fra.pdfpdf_icon

SP8M21FRA

SP8M24FRA Datasheet 45V Nch+Pch Power MOSFET lOutline l Tr1 Nch Tr2 Pch Symbol VDSS 45V -45V SOP8 RDS(on)(Max.) 46m 63m ID 4.5A 3.5A PD 2.0W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance 2) Small Surface Mount Package (SOP8) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free 5) AEC-Q101 Qualified lPa

Другие IGBT... MFE960, MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80, SP8M10FRA, IRFP460, SP8M51, SP8M70, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2, SPC1016, SPC1018