SP8M21FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SP8M21FRA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для SP8M21FRA
SP8M21FRA Datasheet (PDF)
sp8m21fra.pdf

SP8M21SP8M21FRATransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Pch MOSFETSP8M21SP8M21FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET / SOP8Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small and surface mount package (SOP8). Each lead has same dimensions ApplicationsSwitching Package specifications Inn
sp8m24fra.pdf

SP8M24FRADatasheet45V Nch+Pch Power MOSFETlOutlinelTr1:Nch Tr2:PchSymbolVDSS 45V -45V SOP8RDS(on)(Max.) 46m 63mID 4.5A 3.5APD 2.0W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) Small Surface Mount Package (SOP8)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen Free5) AEC-Q101 QualifiedlPa
Другие MOSFET... MFE960 , MFE990 , MGSF1N02ELT1 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , SP8K80 , SP8M10FRA , IRF640 , SP8M51 , SP8M70 , SP8M8FRA , SPB100N03S2 , SPB42N03S2L-13 , SPB80N03S2 , SPC1016 , SPC1018 .
History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S
History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718