SP8M51 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8M51

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SP8M51 datasheet

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SP8M51

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET SP8M51 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ SOP8 Silicon P-channel MOSFET (8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). (1) (4) Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packaging specifications Package Taping Type Code

Otros transistores... MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80, SP8M10FRA, SP8M21FRA, IRFZ44, SP8M70, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2, SPC1016, SPC1018, SPC4516