SP8M51 Todos los transistores

 

SP8M51 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP8M51
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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SP8M51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  rohm
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SP8M51

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFETSP8M51 StructureDimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/SOP8Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (SOP8).(1) (4) ApplicationSwitchingInner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage TapingTypeCode

Otros transistores... MFE990 , MGSF1N02ELT1 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , SP8K80 , SP8M10FRA , SP8M21FRA , IRFZ44 , SP8M70 , SP8M8FRA , SPB100N03S2 , SPB42N03S2L-13 , SPB80N03S2 , SPC1016 , SPC1018 , SPC4516 .

History: DH850N10I | N2500N | SE7401P

 

 
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