Справочник MOSFET. SP8M51

 

SP8M51 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8M51
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для SP8M51

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  rohm
 sp8m51.pdf pdf_icon

SP8M51

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFETSP8M51 StructureDimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/SOP8Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (SOP8).(1) (4) ApplicationSwitchingInner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage TapingTypeCode

Другие MOSFET... MFE990 , MGSF1N02ELT1 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , SP8K80 , SP8M10FRA , SP8M21FRA , IRFZ44 , SP8M70 , SP8M8FRA , SPB100N03S2 , SPB42N03S2L-13 , SPB80N03S2 , SPC1016 , SPC1018 , SPC4516 .

 

 
Back to Top

 


 
.