Справочник MOSFET. SP8M51

 

SP8M51 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SP8M51
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для SP8M51

 

 

SP8M51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  rohm
 sp8m51.pdf

SP8M51 SP8M51

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFETSP8M51 StructureDimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/SOP8Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (SOP8).(1) (4) ApplicationSwitchingInner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage TapingTypeCode

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top