SP8M51. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP8M51

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для SP8M51

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M51 даташит

 ..1. Size:555K  rohm
 sp8m51.pdf pdf_icon

SP8M51

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET SP8M51 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ SOP8 Silicon P-channel MOSFET (8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). (1) (4) Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packaging specifications Package Taping Type Code

Другие IGBT... MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80, SP8M10FRA, SP8M21FRA, IRFZ44, SP8M70, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2, SPC1016, SPC1018, SPC4516