Справочник MOSFET. SP8M51

 

SP8M51 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8M51
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  rohm
 sp8m51.pdf pdf_icon

SP8M51

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFETSP8M51 StructureDimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/SOP8Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (SOP8).(1) (4) ApplicationSwitchingInner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage TapingTypeCode

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HFI640

 

 
Back to Top

 


 
.