SP8M70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8M70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.63 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SP8M70 datasheet

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SP8M70

SP8M70 Dual N & Pch Power MOSFET Datasheet lOutline Symbol Tr1 Nch Tr2 Pch (8) SOP8 (7) (6) VDSS 250V -250V (5) RDS(on) (Max.) 1.63W 2.8W (1) (2) ID (3) 3.0A -2.5A (4) PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Fast switching speed. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Drive circuits can b

Otros transistores... MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80, SP8M10FRA, SP8M21FRA, SP8M51, IRF640, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2, SPC1016, SPC1018, SPC4516, SPC4516B