SP8M70 Todos los transistores

 

SP8M70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP8M70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.63 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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SP8M70 Datasheet (PDF)

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SP8M70

SP8M70 Dual N & Pch Power MOSFET DatasheetlOutlineSymbol Tr1: Nch Tr2: Pch(8) SOP8(7) (6) VDSS250V -250V(5) RDS(on) (Max.)1.63W 2.8W(1) (2) ID(3) 3.0A -2.5A(4) PD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Fast switching speed.(2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Drive circuits can b

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History: QM3004N3 | STN4826 | BRI2N70

 

 
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