Справочник MOSFET. SP8M70

 

SP8M70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8M70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.63 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для SP8M70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  rohm
 sp8m70.pdf pdf_icon

SP8M70

SP8M70 Dual N & Pch Power MOSFET DatasheetlOutlineSymbol Tr1: Nch Tr2: Pch(8) SOP8(7) (6) VDSS250V -250V(5) RDS(on) (Max.)1.63W 2.8W(1) (2) ID(3) 3.0A -2.5A(4) PD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Fast switching speed.(2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Drive circuits can b

Другие MOSFET... MGSF1N02ELT1 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , SP8K80 , SP8M10FRA , SP8M21FRA , SP8M51 , IRFP460 , SP8M8FRA , SPB100N03S2 , SPB42N03S2L-13 , SPB80N03S2 , SPC1016 , SPC1018 , SPC4516 , SPC4516B .

History: STD4NK50ZD | PSMN5R6-100PS | STF13N60M2 | SI7491DP | SIHFD014 | CS7456

 

 
Back to Top

 


 
.