SP8M70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP8M70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.63 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для SP8M70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M70 даташит

 ..1. Size:507K  rohm
 sp8m70.pdf pdf_icon

SP8M70

SP8M70 Dual N & Pch Power MOSFET Datasheet lOutline Symbol Tr1 Nch Tr2 Pch (8) SOP8 (7) (6) VDSS 250V -250V (5) RDS(on) (Max.) 1.63W 2.8W (1) (2) ID (3) 3.0A -2.5A (4) PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Fast switching speed. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Drive circuits can b

Другие IGBT... MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80, SP8M10FRA, SP8M21FRA, SP8M51, IRF640, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13, SPB80N03S2, SPC1016, SPC1018, SPC4516, SPC4516B