SP8M70 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SP8M70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.63 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
SP8M70 Datasheet (PDF)
sp8m70.pdf
SP8M70 Dual N & Pch Power MOSFET DatasheetlOutlineSymbol Tr1: Nch Tr2: Pch(8) SOP8(7) (6) VDSS250V -250V(5) RDS(on) (Max.)1.63W 2.8W(1) (2) ID(3) 3.0A -2.5A(4) PD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Fast switching speed.(2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Drive circuits can b
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918