SPN05T10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPN05T10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SPN05T10 datasheet

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SPN05T10

SPN05T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Small Power Switching for The SPN05T10 is the N-Channel logic enhancement mode MB/NB/VGA power field effect transistor which is produced using super Network DC/DC Power System high cell density DMOS trench technology. The SPN05T10 Load Switch has been designed specifically to improve the ove

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