SPN05T10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPN05T10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de SPN05T10 MOSFET
SPN05T10 Datasheet (PDF)
spn05t10.pdf
SPN05T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Small Power Switching forThe SPN05T10 is the N-Channel logic enhancement mode MB/NB/VGA power field effect transistor which is produced using super Network DC/DC Power System high cell density DMOS trench technology. The SPN05T10 Load Switch has been designed specifically to improve the ove
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History: IPP60R190E6 | VBE165R10 | PSMN2R0-60PS | STN2300A | OSG65R760IF | HFN6N70U
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