Справочник MOSFET. SPN05T10

 

SPN05T10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPN05T10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN05T10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  syncpower
 spn05t10.pdf pdf_icon

SPN05T10

SPN05T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Small Power Switching forThe SPN05T10 is the N-Channel logic enhancement mode MB/NB/VGA power field effect transistor which is produced using super Network DC/DC Power System high cell density DMOS trench technology. The SPN05T10 Load Switch has been designed specifically to improve the ove

Другие MOSFET... SPD50N03S2-07 , SPD50N03S2L-06 , SPD50N03S2L-06T , SPI80N06S-80 , SPM1007 , SPM1008 , SPMT16040F , SPMT9200F , IRF9540N , SPN09T10 , SPN1012 , SPN10T10 , SPN11T10 , SPN12T20 , SPN30T10 , SPN50T10 , SPN65T10 .

History: AP2322GN

 

 
Back to Top

 


 
.