SPN05T10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPN05T10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SPN05T10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN05T10 даташит

 ..1. Size:134K  syncpower
 spn05t10.pdf pdf_icon

SPN05T10

SPN05T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Small Power Switching for The SPN05T10 is the N-Channel logic enhancement mode MB/NB/VGA power field effect transistor which is produced using super Network DC/DC Power System high cell density DMOS trench technology. The SPN05T10 Load Switch has been designed specifically to improve the ove

Другие IGBT... SPD50N03S2-07, SPD50N03S2L-06, SPD50N03S2L-06T, SPI80N06S-80, SPM1007, SPM1008, SPMT16040F, SPMT9200F, SKD502T, SPN09T10, SPN1012, SPN10T10, SPN11T10, SPN12T20, SPN30T10, SPN50T10, SPN65T10