SPN09T10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPN09T10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252 TO-263 TO-251
Búsqueda de reemplazo de SPN09T10 MOSFET
SPN09T10 Datasheet (PDF)
spn09t10.pdf

SPN09T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN09T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN09T10 has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using eith
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History: 2SK526 | SL20N10 | AOD2904
History: 2SK526 | SL20N10 | AOD2904



Liste
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