SPN09T10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPN09T10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-263 TO-251

Аналог (замена) для SPN09T10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN09T10 даташит

 ..1. Size:346K  syncpower
 spn09t10.pdf pdf_icon

SPN09T10

SPN09T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN09T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN09T10 has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using eith

Другие IGBT... SPD50N03S2L-06, SPD50N03S2L-06T, SPI80N06S-80, SPM1007, SPM1008, SPMT16040F, SPMT9200F, SPN05T10, K4145, SPN1012, SPN10T10, SPN11T10, SPN12T20, SPN30T10, SPN50T10, SPN65T10, SPN80T10