Справочник MOSFET. SPN09T10

 

SPN09T10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPN09T10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-263 TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN09T10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  syncpower
 spn09t10.pdf pdf_icon

SPN09T10

SPN09T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN09T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN09T10 has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using eith

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.