SPN11T10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPN11T10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252 TO-251
SPN11T10 Datasheet (PDF)
spn11t10.pdf

SPN11T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN11T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN11T10has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using eith
Otros transistores... SPM1007 , SPM1008 , SPMT16040F , SPMT9200F , SPN05T10 , SPN09T10 , SPN1012 , SPN10T10 , 4N60 , SPN12T20 , SPN30T10 , SPN50T10 , SPN65T10 , SPN80T10 , SPP08P06P , SPP14N05 , SPP15P10P .



Liste
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