Справочник MOSFET. SPN11T10

 

SPN11T10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPN11T10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251
 

 Аналог (замена) для SPN11T10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN11T10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  syncpower
 spn11t10.pdf pdf_icon

SPN11T10

SPN11T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN11T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN11T10has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using eith

Другие MOSFET... SPM1007 , SPM1008 , SPMT16040F , SPMT9200F , SPN05T10 , SPN09T10 , SPN1012 , SPN10T10 , 4N60 , SPN12T20 , SPN30T10 , SPN50T10 , SPN65T10 , SPN80T10 , SPP08P06P , SPP14N05 , SPP15P10P .

History: PDC3810V | SSF18NS60F | BRCS120N06SYM | PMPB24EP | P1850EF | HM10N70F | DMN67D8LW

 

 
Back to Top

 


 
.