SPN12T20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPN12T20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 17.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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SPN12T20 Datasheet (PDF)
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SPN12T20 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Small Power Switching forThe SPN12T20 is the N-Channel logic enhancement mode MB/NB/VGA power field effect transistor which is produced using super Network DC/DC Power System high cell density DMOS trench technology. The SPN12T20 Load Switch has been designed specifically to improve t
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