SPN12T20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPN12T20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SPN12T20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN12T20 даташит

 ..1. Size:152K  syncpower
 spn12t20.pdf pdf_icon

SPN12T20

SPN12T20 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Small Power Switching for The SPN12T20 is the N-Channel logic enhancement mode MB/NB/VGA power field effect transistor which is produced using super Network DC/DC Power System high cell density DMOS trench technology. The SPN12T20 Load Switch has been designed specifically to improve t

Другие IGBT... SPM1008, SPMT16040F, SPMT9200F, SPN05T10, SPN09T10, SPN1012, SPN10T10, SPN11T10, 5N65, SPN30T10, SPN50T10, SPN65T10, SPN80T10, SPP08P06P, SPP14N05, SPP15P10P, SPP15P10PH