Справочник MOSFET. SPN12T20

 

SPN12T20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPN12T20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SPN12T20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN12T20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  syncpower
 spn12t20.pdf pdf_icon

SPN12T20

SPN12T20 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Small Power Switching forThe SPN12T20 is the N-Channel logic enhancement mode MB/NB/VGA power field effect transistor which is produced using super Network DC/DC Power System high cell density DMOS trench technology. The SPN12T20 Load Switch has been designed specifically to improve t

Другие MOSFET... SPM1008 , SPMT16040F , SPMT9200F , SPN05T10 , SPN09T10 , SPN1012 , SPN10T10 , SPN11T10 , 4435 , SPN30T10 , SPN50T10 , SPN65T10 , SPN80T10 , SPP08P06P , SPP14N05 , SPP15P10P , SPP15P10PH .

History: IRF6619 | RJK5026DPE | DMG6301UDW | TPC8301

 

 
Back to Top

 


 
.