SPU07N20G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPU07N20G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: PG-TO251
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SPU07N20G datasheet
spu07n20g.pdf
SPD 07N20 G SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 200 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.4 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 7 A ID Avalanche rated dv/dt rated 2 1 1 3 2 3 Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Pb-free Packaging G D S SPD07N20 G PG-TO252 Yes Tape and Reel SPU07N20 G PG-
spu07n20g.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SPU07N20G FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U
spd07n60s5 spu07n60s5.pdf
SPU07N60S5 SPD07N60S5 Cool MOS Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 0.6 New revolutionary high voltage technology ID 7.3 A Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252 PG-TO252 PG-TO251 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 2 3 Extreme dv/dt rated 3 1 2 1 Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Packag
Otros transistores... SPP22N05, SPP77N05, SPP80N05, SPP80N05L, SPP80N06S-08, SPP80P06P, SPP80P06PG, SPR80N03, SI2302, SPW55N80C3, SQ1420EEH, SQ1421EEH, SQ1431EH, SQ1470AEH, SQ1470EH, SQ1539EH, SQ1563AEH
History: SRT15N090HD56 | RCX080N25 | IRFBF20PBF | SM4382NAKP | SRT03N010LD56 | MMP6967
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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