Справочник MOSFET. SPU07N20G

 

SPU07N20G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPU07N20G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: PG-TO251

 Аналог (замена) для SPU07N20G

 

 

SPU07N20G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:610K  infineon
spu07n20g.pdf

SPU07N20G
SPU07N20G

SPD 07N20 GSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 200 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.4RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 7 AID Avalanche rated dv/dt rated2 1 1 3 2 3 Pin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Pb-free PackagingG D SSPD07N20 G PG-TO252 Yes Tape and ReelSPU07N20 G PG-

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
spu07n20g.pdf

SPU07N20G
SPU07N20G

isc N-Channel MOSFET Transistor SPU07N20GFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

 8.1. Size:975K  infineon
spd07n60c3 spu07n60c3.pdf

SPU07N20G
SPU07N20G

VDS Tjmax G G

 8.2. Size:888K  infineon
spd07n60s5 spu07n60s5.pdf

SPU07N20G
SPU07N20G

SPU07N60S5SPD07N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.6 New revolutionary high voltage technologyID 7.3 A Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252PG-TO252 PG-TO251 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated23 Extreme dv/dt rated3121 Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Packag

 8.3. Size:261K  inchange semiconductor
spu07n60c3.pdf

SPU07N20G
SPU07N20G

isc N-Channel MOSFET Transistor SPU07N60C3FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 8.4. Size:261K  inchange semiconductor
spu07n60s5.pdf

SPU07N20G
SPU07N20G

isc N-Channel MOSFET Transistor SPU07N60S5FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top