SPW55N80C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPW55N80C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TO-247

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SPW55N80C3 Datasheet (PDF)

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spw55n80c3.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C3 800V800V CoolMOS C3 Power TransistorSPW55N80C3Data SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket800V CoolMOS C3 Power TransistorSPW55N80C3TO-2471 Description800V CoolMOS C3 designed for: Industrial application with high DC bulk voltage Switching Application (i.e. active clamp forward)

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