SPW55N80C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPW55N80C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: PG-TO-247

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SPW55N80C3 datasheet

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SPW55N80C3

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C3 800V 800V CoolMOS C3 Power Transistor SPW55N80C3 Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 800V CoolMOS C3 Power Transistor SPW55N80C3 TO-247 1 Description 800V CoolMOS C3 designed for Industrial application with high DC bulk voltage Switching Application (i.e. active clamp forward)

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