SPW55N80C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPW55N80C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: PG-TO-247

Аналог (замена) для SPW55N80C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW55N80C3 даташит

 ..1. Size:1229K  infineon
 spw55n80c3.pdf pdf_icon

SPW55N80C3

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C3 800V 800V CoolMOS C3 Power Transistor SPW55N80C3 Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 800V CoolMOS C3 Power Transistor SPW55N80C3 TO-247 1 Description 800V CoolMOS C3 designed for Industrial application with high DC bulk voltage Switching Application (i.e. active clamp forward)

Другие IGBT... SPP77N05, SPP80N05, SPP80N05L, SPP80N06S-08, SPP80P06P, SPP80P06PG, SPR80N03, SPU07N20G, AO3407, SQ1420EEH, SQ1421EEH, SQ1431EH, SQ1470AEH, SQ1470EH, SQ1539EH, SQ1563AEH, SQ1902AEL