SQ2301ES MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SQ2301ES MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ2301ES

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TO-236

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SQ2301ES datasheet

..1. Size:216K vishay
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SQ2301ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 20 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.120 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 2.5 V 0.180 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 3.9 Compliant to RoHS Directive

9.1. Size:224K vishay
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SQ2308BES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.170 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.220 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 2.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

9.2. Size:108K vishay
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SQ2308ES Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.155 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.205 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC ID (A) 2.3 AEC-Q101 Qualifiedc Configuration Single Find out more a

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SQ2303ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.170 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.370 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 2.5 Compliant to RoHS Directive 2

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