SQ2301ES Todos los transistores

 

SQ2301ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ2301ES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-236
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQ2301ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  vishay
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SQ2301ES

SQ2301ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 20 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.120 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.180 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 3.9 Compliant to RoHS Directive

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SQ2301ES

SQ2308BESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.170 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.220 100 % Rg and UIS TestedID (A) 2.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

 9.2. Size:108K  vishay
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SQ2301ES

SQ2308ESVishay SiliconixAutomotiveN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.155 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.205 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) 2.3 AEC-Q101 QualifiedcConfiguration Single Find out more a

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SQ2301ES

SQ2303ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.170 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.370 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 2.5 Compliant to RoHS Directive 2

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History: SIR426DP | 2SK4195LS | VS3622AA2

 

 
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