Справочник MOSFET. SQ2301ES

 

SQ2301ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ2301ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-236
 

 Аналог (замена) для SQ2301ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2301ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  vishay
 sq2301es.pdf pdf_icon

SQ2301ES

SQ2301ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 20 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.120 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.180 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 3.9 Compliant to RoHS Directive

 9.1. Size:224K  vishay
 sq2308bes.pdf pdf_icon

SQ2301ES

SQ2308BESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.170 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.220 100 % Rg and UIS TestedID (A) 2.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

 9.2. Size:108K  vishay
 sq2308es.pdf pdf_icon

SQ2301ES

SQ2308ESVishay SiliconixAutomotiveN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.155 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.205 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) 2.3 AEC-Q101 QualifiedcConfiguration Single Find out more a

 9.3. Size:217K  vishay
 sq2303es.pdf pdf_icon

SQ2301ES

SQ2303ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.170 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.370 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 2.5 Compliant to RoHS Directive 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQ1431EH , SQ1470AEH , SQ1470EH , SQ1539EH , SQ1563AEH , SQ1902AEL , SQ1912AEEH , SQ1912EEH , RU6888R , SQ2303ES , SQ2308BES , SQ2308CES , SQ2308ES , SQ2309ES , SQ2310ES , SQ2315ES , SQ2318AES .

History: LSF65R280HT | PHB110NQ08LT

 

 
Back to Top

 


 
.