SQ2325ES Todos los transistores

 

SQ2325ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ2325ES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.84 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.77 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-236
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQ2325ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
 sq2325es.pdf pdf_icon

SQ2325ES

SQ2325ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -150 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -10 V 1.77 100 % Rg and UIS testedID (A) -0.84 Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912SOT-23 (

 9.1. Size:219K  vishay
 sq2328es.pdf pdf_icon

SQ2325ES

SQ2328ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 100 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.300 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 2 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-236

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
Back to Top

 


 
.