SQ2325ES MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ2325ES

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.84 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.77 Ohm

Encapsulados: TO-236

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SQ2325ES datasheet

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SQ2325ES

SQ2325ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -150 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 1.77 100 % Rg and UIS tested ID (A) -0.84 Material categorization Configuration Single for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 SOT-23 (

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SQ2325ES

SQ2328ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 100 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.300 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) 2 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D TO-236

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