SQ2325ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ2325ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.77 Ohm

Тип корпуса: TO-236

Аналог (замена) для SQ2325ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2325ES даташит

 ..1. Size:227K  vishay
 sq2325es.pdf pdf_icon

SQ2325ES

SQ2325ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -150 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 1.77 100 % Rg and UIS tested ID (A) -0.84 Material categorization Configuration Single for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 SOT-23 (

 9.1. Size:219K  vishay
 sq2328es.pdf pdf_icon

SQ2325ES

SQ2328ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 100 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.300 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) 2 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D TO-236

Другие IGBT... SQ2308CES, SQ2308ES, SQ2309ES, SQ2310ES, SQ2315ES, SQ2318AES, SQ2318ES, SQ2319ES, AON7403, SQ2328ES, SQ2337ES, SQ2348ES, SQ2351ES, SQ2360EES, SQ2361EES, SQ2361ES, SQ2362ES