SQ2325ES MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQ2325ES
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.84 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.77 Ohm
Тип корпуса: TO-236
SQ2325ES Datasheet (PDF)
sq2325es.pdf
SQ2325ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -150 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -10 V 1.77 100 % Rg and UIS testedID (A) -0.84 Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912SOT-23 (
sq2328es.pdf
SQ2328ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 100 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.300 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 2 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-236
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FDS4141F085 | FDS3680 | HM8N25K
History: FDS4141F085 | FDS3680 | HM8N25K
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918