Справочник MOSFET. SQ2325ES

 

SQ2325ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ2325ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.84 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.77 Ohm
   Тип корпуса: TO-236
 

 Аналог (замена) для SQ2325ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2325ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
 sq2325es.pdf pdf_icon

SQ2325ES

SQ2325ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -150 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -10 V 1.77 100 % Rg and UIS testedID (A) -0.84 Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912SOT-23 (

 9.1. Size:219K  vishay
 sq2328es.pdf pdf_icon

SQ2325ES

SQ2328ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 100 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.300 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 2 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-236

Другие MOSFET... SQ2308CES , SQ2308ES , SQ2309ES , SQ2310ES , SQ2315ES , SQ2318AES , SQ2318ES , SQ2319ES , EMB04N03H , SQ2328ES , SQ2337ES , SQ2348ES , SQ2351ES , SQ2360EES , SQ2361EES , SQ2361ES , SQ2362ES .

History: IXTH250N075T

 

 
Back to Top

 


 
.