SQ2351ES Todos los transistores

 

SQ2351ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ2351ES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-236
 

 Búsqueda de reemplazo de SQ2351ES MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQ2351ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  vishay
 sq2351es.pdf pdf_icon

SQ2351ES

SQ2351ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 20 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.205 Material categorization:ID (A) - 3.2For definitions of compliance please see Configuration

Otros transistores... SQ2315ES , SQ2318AES , SQ2318ES , SQ2319ES , SQ2325ES , SQ2328ES , SQ2337ES , SQ2348ES , 2N7002 , SQ2360EES , SQ2361EES , SQ2361ES , SQ2362ES , SQ2389ES , SQ2398ES , SQ3410EV , SQ3418EEV .

History: SSU65R420S2 | RU2H30Q | SQ3457EV | CMLDM7120T | RU2560L | NCE65N180D | SSM3J46CTB

 

 
Back to Top

 


 
.