SQ2351ES MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ2351ES

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: TO-236

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SQ2351ES datasheet

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SQ2351ES

SQ2351ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 20 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 2.5 V 0.205 Material categorization ID (A) - 3.2 For definitions of compliance please see Configuration

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