Справочник MOSFET. SQ2351ES

 

SQ2351ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ2351ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO-236
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2351ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  vishay
 sq2351es.pdf pdf_icon

SQ2351ES

SQ2351ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 20 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.205 Material categorization:ID (A) - 3.2For definitions of compliance please see Configuration

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.