SQ2351ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ2351ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TO-236

Аналог (замена) для SQ2351ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2351ES даташит

 ..1. Size:195K  vishay
 sq2351es.pdf pdf_icon

SQ2351ES

SQ2351ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 20 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 2.5 V 0.205 Material categorization ID (A) - 3.2 For definitions of compliance please see Configuration

Другие IGBT... SQ2315ES, SQ2318AES, SQ2318ES, SQ2319ES, SQ2325ES, SQ2328ES, SQ2337ES, SQ2348ES, MMIS60R580P, SQ2360EES, SQ2361EES, SQ2361ES, SQ2362ES, SQ2389ES, SQ2398ES, SQ3410EV, SQ3418EEV