Справочник MOSFET. SQ2351ES

 

SQ2351ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ2351ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO-236
 

 Аналог (замена) для SQ2351ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2351ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  vishay
 sq2351es.pdf pdf_icon

SQ2351ES

SQ2351ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 20 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.205 Material categorization:ID (A) - 3.2For definitions of compliance please see Configuration

Другие MOSFET... SQ2315ES , SQ2318AES , SQ2318ES , SQ2319ES , SQ2325ES , SQ2328ES , SQ2337ES , SQ2348ES , 2N7002 , SQ2360EES , SQ2361EES , SQ2361ES , SQ2362ES , SQ2389ES , SQ2398ES , SQ3410EV , SQ3418EEV .

History: FQT1N80TFWS

 

 
Back to Top

 


 
.