SQ4330EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQ4330EY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 344 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SQ4330EY MOSFET
SQ4330EY Datasheet (PDF)
sq4330ey.pdf
SQ4330EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.016 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.022 AEC-Q101 QualifieddID (A) 8.0 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Compliant to
Otros transistores... SQ3460EV , SQ3469EV , SQ3481EV , SQ3985EV , SQ4182EY , SQ4184EY , SQ4282EY , SQ4284EY , AON6414A , SQ4401DY , SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY , SQ4435EY , SQ4470EY , SQ4483EEY .
History: MTB25P06FP | CS4N60ARRD | STB11N52K3 | STP6NM60N | STP24N60M2 | IPP039N04LG | HRP85N08K
History: MTB25P06FP | CS4N60ARRD | STB11N52K3 | STP6NM60N | STP24N60M2 | IPP039N04LG | HRP85N08K
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979

