SQ4330EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQ4330EY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 344 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SQ4330EY MOSFET
SQ4330EY Datasheet (PDF)
sq4330ey.pdf

SQ4330EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.016 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.022 AEC-Q101 QualifieddID (A) 8.0 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Compliant to
Otros transistores... SQ3460EV , SQ3469EV , SQ3481EV , SQ3985EV , SQ4182EY , SQ4184EY , SQ4282EY , SQ4284EY , IRFB4110 , SQ4401DY , SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY , SQ4435EY , SQ4470EY , SQ4483EEY .
History: AP25N10GP-HF | BSP296 | MCU12P10 | AP95T07BGP | WM03N01G | 2SK2975 | PJW1NA60A
History: AP25N10GP-HF | BSP296 | MCU12P10 | AP95T07BGP | WM03N01G | 2SK2975 | PJW1NA60A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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