SQ4330EY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQ4330EY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 344 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SQ4330EY
SQ4330EY Datasheet (PDF)
sq4330ey.pdf
SQ4330EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.016 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.022 AEC-Q101 QualifieddID (A) 8.0 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Compliant to
Другие MOSFET... SQ3460EV , SQ3469EV , SQ3481EV , SQ3985EV , SQ4182EY , SQ4184EY , SQ4282EY , SQ4284EY , AON6414A , SQ4401DY , SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY , SQ4435EY , SQ4470EY , SQ4483EEY .
History: HGA082N10M
History: HGA082N10M
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979


