SQ4425EY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ4425EY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 527 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQ4425EY datasheet

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SQ4425EY

SQ4425EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.012 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.019 Material categorization ID (A) - 18 For definitions of compliance please see Configuration Si

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