SQ4425EY Todos los transistores

 

SQ4425EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ4425EY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 527 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SQ4425EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
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SQ4425EY

SQ4425EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.012 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.019 Material categorization:ID (A) - 18For definitions of compliance please see Configuration Si

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History: SVF4N60CADTR | SVF4N65CADTR | SIHFP350 | SQJA68EP | AP25P15GI | SVF4N60DTR | PSMN2R0-25MLD

 

 
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