SQ4425EY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4425EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 527 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4425EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4425EY даташит

 ..1. Size:253K  vishay
 sq4425ey.pdf pdf_icon

SQ4425EY

SQ4425EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.012 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.019 Material categorization ID (A) - 18 For definitions of compliance please see Configuration Si

Другие IGBT... SQ4182EY, SQ4184EY, SQ4282EY, SQ4284EY, SQ4330EY, SQ4401DY, SQ4401EY, SQ4410EY, 8205A, SQ4431EY, SQ4435EY, SQ4470EY, SQ4483EEY, SQ4483EY, SQ4532AEY, SQ4840EY, SQ4850EY