Справочник MOSFET. SQ4425EY

 

SQ4425EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4425EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 527 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4425EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
 sq4425ey.pdf pdf_icon

SQ4425EY

SQ4425EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.012 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.019 Material categorization:ID (A) - 18For definitions of compliance please see Configuration Si

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NTJD4152PT1G | 12N65KL-TF1-T | IRFR110PBF | ME60P06T | STY100NM60N | AP6C072M | PE632BA

 

 
Back to Top

 


 
.