Справочник MOSFET. SQ4425EY

 

SQ4425EY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ4425EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 527 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SQ4425EY

 

 

SQ4425EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
 sq4425ey.pdf

SQ4425EY SQ4425EY

SQ4425EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.012 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.019 Material categorization:ID (A) - 18For definitions of compliance please see Configuration Si

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top