Справочник MOSFET. SQ4425EY

 

SQ4425EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4425EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 527 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQ4425EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4425EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
 sq4425ey.pdf pdf_icon

SQ4425EY

SQ4425EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.012 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.019 Material categorization:ID (A) - 18For definitions of compliance please see Configuration Si

Другие MOSFET... SQ4182EY , SQ4184EY , SQ4282EY , SQ4284EY , SQ4330EY , SQ4401DY , SQ4401EY , SQ4410EY , 2SK3878 , SQ4431EY , SQ4435EY , SQ4470EY , SQ4483EEY , SQ4483EY , SQ4532AEY , SQ4840EY , SQ4850EY .

History: MDD4N20YRH | AP9578GM | IRFP260NPBF | 2SK2926 | AONS36316 | AOT284L | BLM80P10-D

 

 
Back to Top

 


 
.