SQ4483EEY Todos los transistores

 

SQ4483EEY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ4483EEY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 712 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SQ4483EEY Datasheet (PDF)

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SQ4483EEY

SQ4483EEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 ESD Protection: 3000 VRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 22 Material categorization:Configuration SingleFor de

 7.1. Size:298K  vishay
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SQ4483EEY

SQ4483EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization: ID (A) -22for definitions of compliance please see Configuration Single

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History: STP34NM60ND | LNSC3400 | 6N65KL-TN3-R | PD6A4BA | LNH045R210 | IRH7230 | MG120R040

 

 
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