SQ4483EEY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ4483EEY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 712 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQ4483EEY datasheet

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SQ4483EEY

SQ4483EEY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 ESD Protection 3000 V RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0200 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) - 22 Material categorization Configuration Single For de

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SQ4483EEY

SQ4483EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -30 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization ID (A) -22 for definitions of compliance please see Configuration Single

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