SQ4483EEY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4483EEY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 712 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4483EEY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4483EEY даташит

 ..1. Size:254K  vishay
 sq4483eey.pdf pdf_icon

SQ4483EEY

SQ4483EEY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 ESD Protection 3000 V RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0200 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) - 22 Material categorization Configuration Single For de

 7.1. Size:298K  vishay
 sq4483ey.pdf pdf_icon

SQ4483EEY

SQ4483EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -30 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization ID (A) -22 for definitions of compliance please see Configuration Single

Другие IGBT... SQ4330EY, SQ4401DY, SQ4401EY, SQ4410EY, SQ4425EY, SQ4431EY, SQ4435EY, SQ4470EY, IRF9540, SQ4483EY, SQ4532AEY, SQ4840EY, SQ4850EY, SQ4917EY, SQ4920EY, SQ4936EY, SQ4937EY