Справочник MOSFET. SQ4483EEY

 

SQ4483EEY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4483EEY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 712 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQ4483EEY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4483EEY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  vishay
 sq4483eey.pdf pdf_icon

SQ4483EEY

SQ4483EEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 ESD Protection: 3000 VRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 22 Material categorization:Configuration SingleFor de

 7.1. Size:298K  vishay
 sq4483ey.pdf pdf_icon

SQ4483EEY

SQ4483EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization: ID (A) -22for definitions of compliance please see Configuration Single

Другие MOSFET... SQ4330EY , SQ4401DY , SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY , SQ4435EY , SQ4470EY , K3569 , SQ4483EY , SQ4532AEY , SQ4840EY , SQ4850EY , SQ4917EY , SQ4920EY , SQ4936EY , SQ4937EY .

History: 2SK3696-01MR | 2SK2885 | AP95T10GW-HF

 

 
Back to Top

 


 
.