SQ4532AEY Todos los transistores

 

SQ4532AEY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ4532AEY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SQ4532AEY Datasheet (PDF)

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SQ4532AEY

SQ4532AEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-and P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualified cVDS (V) 30 -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 0.070 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 0.190for definitions of compliance p

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History: NCE60PD05S | STB25NM60N | STB27NM60ND | AFN02N60T220T | IRFM254 | SSM3J332R | RJK0353DPA

 

 
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