SQ4532AEY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ4532AEY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQ4532AEY datasheet

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SQ4532AEY

SQ4532AEY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-and P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualified c VDS (V) 30 -30 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.031 0.070 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.042 0.190 for definitions of compliance p

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