SQ4532AEY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4532AEY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4532AEY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4532AEY даташит

 ..1. Size:332K  vishay
 sq4532aey.pdf pdf_icon

SQ4532AEY

SQ4532AEY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-and P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualified c VDS (V) 30 -30 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.031 0.070 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.042 0.190 for definitions of compliance p

Другие IGBT... SQ4401EY, SQ4410EY, SQ4425EY, SQ4431EY, SQ4435EY, SQ4470EY, SQ4483EEY, SQ4483EY, 2SK3878, SQ4840EY, SQ4850EY, SQ4917EY, SQ4920EY, SQ4936EY, SQ4937EY, SQ4940EY, SQ4942EY