SQ4532AEY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQ4532AEY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SQ4532AEY
SQ4532AEY Datasheet (PDF)
sq4532aey.pdf

SQ4532AEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-and P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualified cVDS (V) 30 -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 0.070 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 0.190for definitions of compliance p
Другие MOSFET... SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY , SQ4435EY , SQ4470EY , SQ4483EEY , SQ4483EY , 8205A , SQ4840EY , SQ4850EY , SQ4917EY , SQ4920EY , SQ4936EY , SQ4937EY , SQ4940EY , SQ4942EY .
History: MTN8N65E3 | AUIRFS8407 | MTN9971J3 | P5103EMG
History: MTN8N65E3 | AUIRFS8407 | MTN9971J3 | P5103EMG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t