Справочник MOSFET. SQ4532AEY

 

SQ4532AEY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4532AEY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQ4532AEY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4532AEY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  vishay
 sq4532aey.pdf pdf_icon

SQ4532AEY

SQ4532AEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-and P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualified cVDS (V) 30 -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 0.070 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 0.190for definitions of compliance p

Другие MOSFET... SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY , SQ4435EY , SQ4470EY , SQ4483EEY , SQ4483EY , IRFP260 , SQ4840EY , SQ4850EY , SQ4917EY , SQ4920EY , SQ4936EY , SQ4937EY , SQ4940EY , SQ4942EY .

History: JCS2N95RA | AOTF12T50P

 

 
Back to Top

 


 
.