Справочник MOSFET. SQ4532AEY

 

SQ4532AEY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ4532AEY
   Маркировка: Q4532A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SQ4532AEY

 

 

SQ4532AEY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  vishay
 sq4532aey.pdf

SQ4532AEY SQ4532AEY

SQ4532AEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-and P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualified cVDS (V) 30 -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 0.070 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 0.190for definitions of compliance p

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top