SQ4917EY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ4917EY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 334 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQ4917EY datasheet

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SQ4917EY

SQ4917EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0480 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0612 Material categorization ID (A) per leg -8 For definitions of compliance please see Configura

 ..2. Size:3690K  cn vbsemi
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SQ4917EY

SQ4917EY www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.050 RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.060 ID (A) per leg -8 S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D G D 4 5 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) PARAMET

Otros transistores... SQ4431EY, SQ4435EY, SQ4470EY, SQ4483EEY, SQ4483EY, SQ4532AEY, SQ4840EY, SQ4850EY, IRF9540N, SQ4920EY, SQ4936EY, SQ4937EY, SQ4940EY, SQ4942EY, SQ4946AEY, SQ4949EY, SQ4953EY