Справочник MOSFET. SQ4917EY

 

SQ4917EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4917EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 334 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4917EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  vishay
 sq4917ey.pdf pdf_icon

SQ4917EY

SQ4917EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0480 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0612 Material categorization: ID (A) per leg -8For definitions of compliance please see Configura

 ..2. Size:3690K  cn vbsemi
 sq4917ey.pdf pdf_icon

SQ4917EY

SQ4917EYwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.050RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.060ID (A) per leg -8SSO-8S1 8 DGS D2 7S3 6 DG D4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARAMET

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FMI12N50ES

 

 
Back to Top

 


 
.