SQ4917EY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4917EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 334 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4917EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4917EY даташит

 ..1. Size:314K  vishay
 sq4917ey.pdf pdf_icon

SQ4917EY

SQ4917EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0480 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0612 Material categorization ID (A) per leg -8 For definitions of compliance please see Configura

 ..2. Size:3690K  cn vbsemi
 sq4917ey.pdf pdf_icon

SQ4917EY

SQ4917EY www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.050 RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.060 ID (A) per leg -8 S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D G D 4 5 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) PARAMET

Другие IGBT... SQ4431EY, SQ4435EY, SQ4470EY, SQ4483EEY, SQ4483EY, SQ4532AEY, SQ4840EY, SQ4850EY, IRF9540N, SQ4920EY, SQ4936EY, SQ4937EY, SQ4940EY, SQ4942EY, SQ4946AEY, SQ4949EY, SQ4953EY