SQ4936EY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQ4936EY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SQ4936EY datasheet
Otros transistores... SQ4470EY, SQ4483EEY, SQ4483EY, SQ4532AEY, SQ4840EY, SQ4850EY, SQ4917EY, SQ4920EY, IRLB4132, SQ4937EY, SQ4940EY, SQ4942EY, SQ4946AEY, SQ4949EY, SQ4953EY, SQ4961EY, SQ7002K
History: SQ4940EY
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
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