Справочник MOSFET. SQ4936EY

 

SQ4936EY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ4936EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SQ4936EY

 

 

SQ4936EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 sq4936ey.pdf

SQ4936EY SQ4936EY

SQ4936EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.036 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.053 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 7 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual

 9.1. Size:251K  vishay
 sq4937ey.pdf

SQ4936EY SQ4936EY

SQ4937EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 30DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.075 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.145 100 % Rg and UIS TestedID (A) per leg - 5 AEC-Q101 QualifiedcConfiguration Dual

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top