IXTA1N100 Todos los transistores

 

IXTA1N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTA1N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263AA
 

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IXTA1N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  ixys
 ixta1n100 ixtp1n100.pdf pdf_icon

IXTA1N100

VDSS = 1000 VIXTA 1N100High Voltage MOSFETIXTP 1N100 ID25 = 1.5 A RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 30 VD (TAB)GVGSM Transient 40 VDSID25 TC = 25C 1.5 AIDM TC =

 0.1. Size:95K  ixys
 ixta1n100p ixtp1n100p.pdf pdf_icon

IXTA1N100

Advance Technical InformationIXTA 1N100P VDSS = 1000 VPolarHVTMIXTP 1N100P ID25 = 1.2 APower MOSFETRDS(on) = 13 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VS(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C

 0.2. Size:202K  inchange semiconductor
 ixta1n100p.pdf pdf_icon

IXTA1N100

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IXTA1N100PFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 7.1. Size:238K  ixys
 ixta1n170dhv ixth1n170dhv.pdf pdf_icon

IXTA1N100

Advance Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1700VIXTA1N170DHVMOSFET ID(on) > 1AIXTH1N170DHV RDS(on) 16 N-ChannelTO-263HV (IXTA)GS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSX TJ = 25C to 150C 1700 VVDGX TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1700 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 V

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