IXTA1N100 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IXTA1N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTA1N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm

Encapsulados: TO263AA

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IXTA1N100 datasheet

..1. Size:535K ixys
ixta1n100 ixtp1n100.pdf pdf_icon

VDSS = 1000 V IXTA 1N100 High Voltage MOSFET IXTP 1N100 ID25 = 1.5 A RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 30 V D (TAB) G VGSM Transient 40 V D S ID25 TC = 25 C 1.5 A IDM TC =

0.1. Size:95K ixys
ixta1n100p ixtp1n100p.pdf pdf_icon

Advance Technical Information IXTA 1N100P VDSS = 1000 V PolarHVTM IXTP 1N100P ID25 = 1.2 A Power MOSFET RDS(on) = 13 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V G VGS Continuous 20 V S (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C

0.2. Size:202K inchange semiconductor
ixta1n100p.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTA1N100P FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

7.1. Size:238K ixys
ixta1n170dhv ixth1n170dhv.pdf pdf_icon

Advance Technical Information Depletion Mode VDSX = 1700V IXTA1N170DHV MOSFET ID(on) > 1A IXTH1N170DHV RDS(on) 16 N-Channel TO-263HV (IXTA) G S D (Tab) TO-247HV (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSX TJ = 25 C to 150 C 1700 V VDGX TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1700 V VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V

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