IXTA1N100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXTA1N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
Тип корпуса: TO263AA
Аналог (замена) для IXTA1N100
IXTA1N100 Datasheet (PDF)
ixta1n100 ixtp1n100.pdf
VDSS = 1000 VIXTA 1N100High Voltage MOSFETIXTP 1N100 ID25 = 1.5 A RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 30 VD (TAB)GVGSM Transient 40 VDSID25 TC = 25C 1.5 AIDM TC =
ixta1n100p ixtp1n100p.pdf
Advance Technical InformationIXTA 1N100P VDSS = 1000 VPolarHVTMIXTP 1N100P ID25 = 1.2 APower MOSFETRDS(on) = 13 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VS(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C
ixta1n100p.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IXTA1N100PFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
ixta1n170dhv ixth1n170dhv.pdf
Advance Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1700VIXTA1N170DHVMOSFET ID(on) > 1AIXTH1N170DHV RDS(on) 16 N-ChannelTO-263HV (IXTA)GS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSX TJ = 25C to 150C 1700 VVDGX TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1700 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 V
Другие MOSFET... IXFX32N50Q , IXFX34N80 , IXFX44N60 , IXFX48N50Q , IXFX50N50 , IXFX55N50 , IXFX90N20Q , IXFX90N30 , 8N60 , IXTA2N80 , IXTH10N100 , IXTH10N90 , IXTH10P50 , IXTH11N80 , IXTH11P50 , IXTH12N100 , IXTH12N45MA .
History: 11NM70G-T2S-T | IXTH10N90
History: 11NM70G-T2S-T | IXTH10N90
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42




