IXTA1N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTA1N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm

Тип корпуса: TO263AA

Аналог (замена) для IXTA1N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA1N100 даташит

 ..1. Size:535K  ixys
 ixta1n100 ixtp1n100.pdf pdf_icon

IXTA1N100

VDSS = 1000 V IXTA 1N100 High Voltage MOSFET IXTP 1N100 ID25 = 1.5 A RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 30 V D (TAB) G VGSM Transient 40 V D S ID25 TC = 25 C 1.5 A IDM TC =

 0.1. Size:95K  ixys
 ixta1n100p ixtp1n100p.pdf pdf_icon

IXTA1N100

Advance Technical Information IXTA 1N100P VDSS = 1000 V PolarHVTM IXTP 1N100P ID25 = 1.2 A Power MOSFET RDS(on) = 13 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V G VGS Continuous 20 V S (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C

 0.2. Size:202K  inchange semiconductor
 ixta1n100p.pdf pdf_icon

IXTA1N100

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTA1N100P FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 7.1. Size:238K  ixys
 ixta1n170dhv ixth1n170dhv.pdf pdf_icon

IXTA1N100

Advance Technical Information Depletion Mode VDSX = 1700V IXTA1N170DHV MOSFET ID(on) > 1A IXTH1N170DHV RDS(on) 16 N-Channel TO-263HV (IXTA) G S D (Tab) TO-247HV (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSX TJ = 25 C to 150 C 1700 V VDGX TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1700 V VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFX32N50Q, IXFX34N80, IXFX44N60, IXFX48N50Q, IXFX50N50, IXFX55N50, IXFX90N20Q, IXFX90N30, 8N60, IXTA2N80, IXTH10N100, IXTH10N90, IXTH10P50, IXTH11N80, IXTH11P50, IXTH12N100, IXTH12N45MA