SQD10N30-330H Todos los transistores

 

SQD10N30-330H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQD10N30-330H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
 

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SQD10N30-330H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  vishay
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SQD10N30-330H

SQD10N30-330Hwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 300 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 300 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.330 AEC-Q101 qualified dID (A) 10 100 % Rg testedConfiguration Single Material categorization:for definitions of compliance please seeD

 9.1. Size:153K  vishay
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SQD10N30-330H

SQD100N03-3m4www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0034 AEC-Q101 QualifieddID (A) 100 Material categorization:Configuration SingleFor definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-2

 9.2. Size:152K  vishay
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SQD10N30-330H

SQD100N04-3m6www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0036 100 % Rg and UIS TestedID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Material categorization:TO-252For definitions of compli

 9.3. Size:183K  vishay
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SQD10N30-330H

SQD100N04-3m6Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0036 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0042 AEC-Q101 qualified dID (A) 100Configuration Single Material categorization:

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History: STP9527 | SI3473DV | SQD19P06-60L

 

 
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