Справочник MOSFET. SQD10N30-330H

 

SQD10N30-330H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD10N30-330H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD10N30-330H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  vishay
 sqd10n30-330h.pdf pdf_icon

SQD10N30-330H

SQD10N30-330Hwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 300 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 300 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.330 AEC-Q101 qualified dID (A) 10 100 % Rg testedConfiguration Single Material categorization:for definitions of compliance please seeD

 9.1. Size:153K  vishay
 sqd100n03-3m4.pdf pdf_icon

SQD10N30-330H

SQD100N03-3m4www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0034 AEC-Q101 QualifieddID (A) 100 Material categorization:Configuration SingleFor definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-2

 9.2. Size:152K  vishay
 sqd100n04-3m6.pdf pdf_icon

SQD10N30-330H

SQD100N04-3m6www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0036 100 % Rg and UIS TestedID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Material categorization:TO-252For definitions of compli

 9.3. Size:183K  vishay
 sqd100n04-3m6l.pdf pdf_icon

SQD10N30-330H

SQD100N04-3m6Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0036 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0042 AEC-Q101 qualified dID (A) 100Configuration Single Material categorization:

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PTF7N65 | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | AFN1932 | IXFK94N50P2 | SVF6N25CD | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.