SQD19P06-60L Todos los transistores

 

SQD19P06-60L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQD19P06-60L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQD19P06-60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
 sqd19p06-60l.pdf pdf_icon

SQD19P06-60L

SQD19P06-60Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.055 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.100 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 20 100 % Rg and UIS TestedConfiguration

 ..2. Size:1440K  cn vbsemi
 sqd19p06-60l.pdf pdf_icon

SQD19P06-60L

SQD19P06-60Lwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MRF5003 | IRFR120TR | 4N65KG-T60-K | RQK0608BQDQS | CSD17309Q3 | AONS36316

 

 
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