SQD19P06-60L - аналоги и даташиты транзистора

 

SQD19P06-60L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SQD19P06-60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SQD19P06-60L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD19P06-60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
 sqd19p06-60l.pdf pdf_icon

SQD19P06-60L

SQD19P06-60Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.055 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.100 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 20 100 % Rg and UIS TestedConfiguration

 ..2. Size:1440K  cn vbsemi
 sqd19p06-60l.pdf pdf_icon

SQD19P06-60L

SQD19P06-60Lwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge

Другие MOSFET... SQA410EJ , SQD07N25-350H , SQD100N03-3M2L , SQD100N03-3M4 , SQD100N04-3M6 , SQD100N04-3M6L , SQD10N30-330H , SQD15N06-42L , IRFP250 , SQD23N06-31L , SQD25N06-22L , SQD25N15-52 , SQD30N05-20L , SQD35N05-26L , SQD40N04-10A , SQD40N06-14L , SQD40N10-25 .

History: OSG70R420DEF | HM60N05K | RJJ0101DPD | SPP15N65C3 | NCE40H30D | HITK0302MP

 

 
Back to Top

 


 
.