SQD23N06-31L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQD23N06-31L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQD23N06-31L

SQD23N06-31L Datasheet (PDF)

..1. Size:167K vishay
sqd23n06-31l.pdf

SQD23N06-31Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.045 100 % Rg and UIS TestedID (A) 23 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration Singl

6.1. Size:151K vishay
sqd23n06.pdf

SQD23N06-31LVishay SiliconixAutomotiveN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.045 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) 23 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Find out mor

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Liste

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