SQD23N06-31L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQD23N06-31L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SQD23N06-31L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD23N06-31L даташит

 ..1. Size:167K  vishay
 sqd23n06-31l.pdf pdf_icon

SQD23N06-31L

SQD23N06-31L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.031 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.045 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 23 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configuration Singl

 6.1. Size:151K  vishay
 sqd23n06.pdf pdf_icon

SQD23N06-31L

SQD23N06-31L Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.031 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.045 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC ID (A) 23 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single Find out mor

Другие IGBT... SQD07N25-350H, SQD100N03-3M2L, SQD100N03-3M4, SQD100N04-3M6, SQD100N04-3M6L, SQD10N30-330H, SQD15N06-42L, SQD19P06-60L, IRF1407, SQD25N06-22L, SQD25N15-52, SQD30N05-20L, SQD35N05-26L, SQD40N04-10A, SQD40N06-14L, SQD40N10-25, SQD40P10-40L