Справочник MOSFET. SQD23N06-31L

 

SQD23N06-31L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQD23N06-31L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SQD23N06-31L

 

 

SQD23N06-31L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  vishay
 sqd23n06-31l.pdf

SQD23N06-31L SQD23N06-31L

SQD23N06-31Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.045 100 % Rg and UIS TestedID (A) 23 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration Singl

 6.1. Size:151K  vishay
 sqd23n06.pdf

SQD23N06-31L SQD23N06-31L

SQD23N06-31LVishay SiliconixAutomotiveN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.045 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) 23 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Find out mor

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top