Справочник MOSFET. SQD23N06-31L

 

SQD23N06-31L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQD23N06-31L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 144 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.031 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SQD23N06-31L

 

 

SQD23N06-31L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  vishay
sqd23n06-31l.pdf

SQD23N06-31L SQD23N06-31L

SQD23N06-31Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.045 100 % Rg and UIS TestedID (A) 23 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration Singl

 6.1. Size:151K  vishay
sqd23n06.pdf

SQD23N06-31L SQD23N06-31L

SQD23N06-31LVishay SiliconixAutomotiveN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.045 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) 23 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Find out mor

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top